euv光刻機原理

euv光刻機原理是接近或接觸式光刻通過無限靠近，複製掩模板上的圖案；直寫式光刻是將光束聚焦為一點，通過運動工件台或鏡頭掃描實現任意圖形加工。投影式光刻因其高效率、無損傷的優點，是集成電路主流光刻技術。

光刻機（Mask Aligner）是製造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，製造難度很大，全世界只有少數幾家公司能製造。

高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常在十幾納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有7000萬美金的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業之花，其製造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠製造。國外品牌主要以荷蘭ASML（鏡頭來自德國），日本Nikon（intel曾經購買過Nikon的高端光刻機）和日本Canon三大品牌為主。