負電子親和勢光電陰極介紹

1、表面勢壘低於導帶底的光陰極（如GaAs:Cs-O)。表面勢壘高於導帶底的稱為正電子親和勢光陰極(如Sb-K-Na-Cs)；表面勢壘平於導帶底的稱為零電子親和勢光陰極。

2、介紹：表面勢壘低於導帶底的光陰極（如GaAs:Cs-O)。表面勢壘高於導帶底的稱為正電子親和勢光陰極(如Sb-K-Na-Cs)；表面勢壘平於導帶底的稱為零電子親和勢光陰極。

3、1963年美國 R. E.西蒙斯根據半導體能帶理論提出負電子親和勢概念。1965年荷蘭J.J.席爾和J.範拉制成GaAs:Gs光陰極。人們又製出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光陰極，如 InP，GaxIn1-xAs(0xyIn1-yPzAs1-z（0yz2O,它與P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶體（如摻Zn的GaSb）接觸，形成異質結。此模型給出在表面吸附層內有一界面勢壘（約 1.2電子伏）。根據偶極子模型，Cs-O層是很薄的Cs偶極子與Cs2O偶極子串聯的雙偶極子,其厚度約8埃。這與單原子尺度的實驗是一致的。