qlc的精選

TLC（三層存儲單元）全稱是Trinary-LevelCell，三層式存儲單元，是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell，由於存儲密度較高，所以容量理論上是MLC的1.5倍，成本較低，但是P/E壽命相對要低一些，理論擦寫次數在1000-3000次不等，是目前市面上主流...