動態隨機存儲器使用的是什麼表示存儲信息

動態隨機存儲器使用的是MOS管的輸入電容來表示存儲信息。

動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存，即DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種半導體存儲器。主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。DRAM只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。一般計算機系統使用的隨機存取內存（RAM）可分動態（DRAM）與靜態隨機存取內存（SRAM）兩種，差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定週期對存儲器刷新，才能維繫數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

在半導體科技極為發達的台灣，內存和顯存被統稱為記憶體（Memory），全名是動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用電容內存儲電荷的多寡來代表0和1，這就是一個二進制位元（bit），內存的最小單位。DRAM的結構可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現象，如果電荷不足會導致數據出錯，因此電容必須被週期性的刷新（預充電），這也是DRAM的一大特點。而且電容的充放電需要一個過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導致DRAM的頻率很容易達到上限，即便有先進工藝的支持也收效甚微。隨着科技的進步，以及人們對超頻的一種意願，這些頻障也在慢慢解決。